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國標(biāo)設(shè)備

電壓擊穿測(cè)試儀耐電弧試驗(yàn)儀高壓、低壓漏電起痕表面體積電阻率（高阻計(jì)）電弱點(diǎn)試驗(yàn)儀 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀

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HCLD-III電工電直子高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

更新時(shí)間：2024-06-05

型號(hào)：HCLD-III

瀏覽量：2151

HCDH-200電工電直子高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器是在固體絕緣材料表面上，在規(guī)定尺寸（ 2mm × 5mm ）的鉑電極之間，施加某一電壓并定時(shí)（30s）定高度（ 35mm ）滴下規(guī)定液滴體積的污染液體（0.1%NH 4 CL），用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力，測(cè)定其相比電痕化指數(shù)（CT1）和耐電痕化指數(shù)（PT1）。
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HCLD-III絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置

更新時(shí)間：2024-06-05

型號(hào)：HCLD-III

瀏覽量：2175

HCDH-200絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置是在固體絕緣材料表面上，在規(guī)定尺寸（ 2mm × 5mm ）的鉑電極之間，施加某一電壓并定時(shí)（30s）定高度（ 35mm ）滴下規(guī)定液滴體積的污染液體（0.1%NH 4 CL），用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力，測(cè)定其相比電痕化指數(shù)（CT1）和耐電痕化指數(shù)（PT1）。
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HCLD-III電氣絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置

更新時(shí)間：2024-06-05

型號(hào)：HCLD-III

瀏覽量：2699

HCDH-200電氣絕緣材料高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置是在固體絕緣材料表面上，在規(guī)定尺寸（ 2mm × 5mm ）的鉑電極之間，施加某一電壓并定時(shí)（30s）定高度（ 35mm ）滴下規(guī)定液滴體積的污染液體（0.1%NH 4 CL），用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力，測(cè)定其相比電痕化指數(shù)（CT1）和耐電痕化指數(shù)（PT1）。
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HCLD-III控制精密高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

更新時(shí)間：2024-06-05

型號(hào)：HCLD-III

瀏覽量：2002

HCDH-200控制精密高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器是在固體絕緣材料表面上，在規(guī)定尺寸（ 2mm × 5mm ）的鉑電極之間，施加某一電壓并定時(shí)（30s）定高度（ 35mm ）滴下規(guī)定液滴體積的污染液體（0.1%NH 4 CL），用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力，測(cè)定其相比電痕化指數(shù)（CT1）和耐電痕化指數(shù)（PT1）。
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HCLD-III操作簡(jiǎn)單高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

更新時(shí)間：2024-06-05

型號(hào)：HCLD-III

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HCDH-200操作簡(jiǎn)單高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器是在固體絕緣材料表面上，在規(guī)定尺寸（ 2mm × 5mm ）的鉑電極之間，施加某一電壓并定時(shí)（30s）定高度（ 35mm ）滴下規(guī)定液滴體積的污染液體（0.1%NH 4 CL），用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力，測(cè)定其相比電痕化指數(shù)（CT1）和耐電痕化指數(shù)（PT1）。
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HCLD-III高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

更新時(shí)間：2025-07-29

型號(hào)：HCLD-III

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高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器，在固體絕緣材料表面上，在規(guī)定尺寸（ 2mm × 5mm ）的鉑電極之間，施加某一電壓并定時(shí)（30s）定高度（ 35mm ）滴下規(guī)定液滴體積的污染液體（0.1%NH 4 CL），用以評(píng)價(jià)固體絕緣材料表面在電場(chǎng)和污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐受能力，測(cè)定其相比電痕化指數(shù)（CT1）和耐電痕化指數(shù)（PT1）。
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HCLD-III觸摸屏高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器

更新時(shí)間：2024-06-05

型號(hào)：HCLD-III

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觸摸屏高壓漏電起痕試驗(yàn)裝置測(cè)試儀器根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》，UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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HCLD-III電痕化漏電起痕試驗(yàn)儀測(cè)試儀器

更新時(shí)間：2024-06-05

型號(hào)：HCLD-III

瀏覽量：1272

電痕化漏電起痕試驗(yàn)儀測(cè)試儀器是根據(jù)GB4706.1-2008GB4207-2003GB/T6553-2003IEC60112-2003《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測(cè)定方法》，UL746A、ASTMD3638-92、DIN53480等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的模擬試驗(yàn)項(xiàng)目。
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